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第132章 十倍精度光刻


纪弘也很头疼,产能怎么挤?巧妇也难为无米之炊!

    最关键的自然不是零部件这种东西,而是光刻机。

    不说别的,在限制一次又一次的加码之后,国内现在能够进口的最先进的光刻机是1980di,曝光精度是38nm的那款。

    主要用于28nm、14nm制程,多重曝光的情况下,也能制造7nm芯片。

    更高级别的已经完全不能出货了。

    哪怕是1980di,现在要买也只有理论上的可能。现有的都是存量,都是有数的——华为的先进工艺,就是用这款光刻机采用多重曝光工艺生产的。

    等效5nm,算是把这台光刻机压榨到了极限。

    而国内生产已经投入商用的光刻机,是分辨率90nm的沪上微电子的SSA600/20。

    回到家里,纪弘在书房,也是一样一样的在整理着国内的产业现状,心里也在思索一个可行的方案。

    在他心里,王华新院士那边,超爆分辨率光刻机结合类思维AI大概率是可以瞬间解决问题的,目前这个型号的光刻机大约有十六台。

    但,不管是否能行,都不能把鸡蛋放在同一个篮子里。

    另一个方案……

    他明天约了于总,这需要产业整合。

    ……

    “用1980di生产更高工艺级别的芯片?做到台积电N5P的密度?能效比也要追上?”

    纪弘一发邀请,于东立即就来了,不为别的,就为手机系统集成大小核与多线程智慧调度模块的开发已经完成。

    但见面第一个问题,直接就把于东给搞懵了。

    华为这两年一直在回避工艺这个问题,无论是去年的9000s和其一系列衍生物,还是今年即将发布的新的芯片,都不会对外公布工艺。

    所谓等效7nm,等效5nm之类的,都是拆机爱好者用电子显微镜Decode之后计算出来的。

    但是自家人知自家事儿,性能、功耗、工艺三者之间的桎梏是没那么容易打破的。

    就比如9000s,调校激进一些不是问题,但功耗立即就会控制不住,发热和耗电都会严重,这就是工艺过低带来的弊端。

    这两年,一直在这个工艺上修修补补,说是等效5nm了,但是能效比跟真正的5nm相去甚远。

    而且,华为自认为在现有的硬件设备条件下,这台光刻机进步的空间已经被压榨干净了——除非EUV研发成功,否则,麒麟芯片的硬件性能想要再提升,已经非常困难了。

    所以,他们才会对卷耳智能科技的多线程大小核调度模块如此的上心——性能不够,调度来凑。

    而事实上,这个模块没有让他们失望——纸面数据直接提升了15%,实际体验的话,感知甚至更高。

    是真的让这一代麒麟,有了至少不输8+的纸面数据,实际体验直追8G2都不是问题。

    但现在,纪弘告诉他,做真正的5nm!

    海思的设计能力现在已经无人怀疑,甚至在很多人眼里,它已经是世界最强,没有之一——能在落后制程工艺下设计出现在的麒麟,哪怕是苹果也不容易做到。

    如果工艺再能提上去,那……

    光想想,于东都觉得是美的。

    ……

    “先参观一下吧。”纪弘看出于东的惊讶,话已经点到,解释什么都是多余的,摆事实在任何时候都会好过讲道理。

    俩人换好衣服鞋子手套头套,来到产线。

    “杨工,介绍一下现在的情况吧。”纪弘引这于东站在产线正在工作的光刻机屏幕之前,喊来总工程师,如此说道。

    “无限套刻测试一直在循环进行,目前,极端线宽已经做到了22nm……”

    于东听到22nm的时候,内心还一笑,这也不高嘛。

    但是随即反应过来,当即惊呼道:“多少?”

    这他么是220nm的光刻机啊,搞我玩儿呢吧,而且这玩意儿用的是i线365nm的光源啊!

    华为利用SAQP技术实现4倍精度的光刻,这其中有多困难,只有做过才知道。

    而且良率从几乎没法看到现在的渐渐提高,也经历了非常漫长的时间——说白了,这玩意是实在没办法了才去搞的。

    如果国内有EUV,何至于费这么大的劲!

    “10倍精度!22nm!”杨工程师确认道。

    “你们用的什么方法?”于东没有怀疑杨工骗他,这东西就在这儿,骗他没有任何意义,纪弘想跟他谈什么,也不差这一点筹码。

    “最简单的方法。”杨工程师也是认真的回复道:“就是把需要光刻的图分到多个掩膜版上,然后一遍一遍的重复光刻-刻蚀-光刻-刻蚀……就这样。”

    “这……”这种方法于东当然知道,就是最原始的方法。

    但是精度怎么控制啊?这东西在所有的工艺节点上,量产工艺,就没有做过双重以上的,最多就是双重。

    理论倒是非常简单,但做起来那是非常的困难。

    不仅是工件台的移动精度问题,有非常多的问题需要解决。

    稍微对不准一点,一重一重的累积下来就会是天文数字,最终导致全盘都失败。

    换句话说,你动一下都需要保持nm级别的精度,既然有这个技术,直接去改造光刻机都比这个更容易。

    “来,看看我们的历程吧。”没等杨工回答,纪弘引着于东来看这几天产线在做什么。

    “与传统提升工艺的过程不同,”纪弘介绍道:“类思维AI在这里发挥了巨大的作用。

    “刻-刻蚀-光刻-刻蚀,也就是LELE这种双重曝光技术之所以引起套刻误差,不能四重甚至更多重的LELELELLE,是因为精度不好把握。

    “但,对于我们来说,这反倒是最简单的。对准嘛,机械重复就好了,一次不行那就多来几次。”

    这个过程困难吗?

    对于一般的产线来说,非常困难。

    因为误差有多少,不下产线去检测就不可能知道。

    一次光刻之后,按程序移动,然后二次光刻,所有流程结束了,上检测线了,上封测线了,才能知道哪儿出了问题,良率多少,是不是能够满足量产需求。

    不能的话,去调整,重复上述过程,直到满足需求。

    但宏图微电子这儿呢?就好像里边住了个人。

    机台动了一下,光刻尚未进行:“我对准了没?”

    “好像还差一点。”

    “现在呢?”

    “往右一点。”

    “这会儿呢?”

    “往左一点。”

    “现在呢?这回总可以了吧?”

    “嗯!刻吧!”

    这一刻,精准无比,别说刻三次五次,哪怕十次更多次,只要计算好了,那也完全都没有问题。

    当然,真正的过程不可能是描述的这个样子,但如果拟人化的话,大概是这么个意思。

    这就叫做精度不够,“微调”来凑。一步不到位,咱慢慢调。

    当然,这个慢也是相对的——如果传感数据计算好了,由人来判断和调整,那是真叫慢——光电所的超爆光刻机所面临的就是这个问题。

    但这个时候判断是否对准以及做出决策的,是类思维AI工业模型结合机器视觉以及维纳传感,这速度立即就上去了。

    ……

    而于东看着这几天的数据,人有些麻。

    这东西还不是一天成型的,从数据中可以明显看出,第一天的时候,双重曝光都还有些费劲,效果很不理想。

    但成长贼快——随着一次又一次的尝试,一次又一次的训练,这套系统是越来越强,直到今天自己看到的这样一种十倍精度光刻的效果。

    而这说起来还要多亏了王华新院士这个【微纳制造与智能传感技术】国内顶尖专家,如若不然,还真不一定能够达到现在的这种训练效果。

    (本章完)


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